Leo Esaki: Diferenzas entre revisións
Contido eliminado Contido engadido
m Simplificando redireccións cara a Estados Unidos de América |
formato |
||
Liña 1:
{{Caracteresxaponeses}}
'''Leo Esaki''' (en [[Lingua xaponesa|xaponés]]: 江崎 玲於奈, えさき れおな, ''Esaki Reona''), nado
== Traxectoria==
▲Naceu o [[12 de marzo]] de [[1925]] na cidade xaponesa de [[Osaka]]. Estudou [[física]] na Universidade de [[Toquio]], licenciándose en [[1947]] e doutorándose en [[1959]]. Tras traballar como investigador na empresa [[Sony]], oen[[1960]] trasladouse aos [[Estados Unidos de América|Estados Unidos]] onde foi contratado no centro de investigación da empresa [[IBM]] ''Thomas J. Watson Research Center''.
== Inevstigacións científicas ==
Interesado na [[mecánica cuántica]] realizou investigacións ao redor do [[efecto túnel]] sobre os [[semicondutor]]es e [[Supercondutividade|superconductores]], explicando o efecto do [[diodo de Esaki]] polo cal estudou o paso de [[electrón]]s a través dunha barreira sólida sen deixar ningún rastro, reagrupándose despois na súa formación inicial. Esta teoría ten aplicacións actuais en [[electrónica]], [[medicina]] e [[astronáutica]].
|