Memoria de acceso aleatorio: Diferenzas entre revisións

Contido eliminado Contido engadido
Vagobot (conversa | contribucións)
Liña 47:
Estas memorias teñen unha capacidade moi reducida (entre 0 e 1024 KB aproximadamente) en comparación coa memoria principal do sistema, pero permiten aumentar significativamente o rendemento do sistema global debido á súa xerarquía de memoria. Están formadas por catro [[transistor]]es bipolares que forman un [[biestable]] (denominado flip-flop); esta cela de almacenaxe ten dous estados estables, os cales se utilizan para denotar 0 ou 1. Dúas comportas adicionais serven para controla-lo acceso á cela de almacenaxe durante as operacións de lectura ou escritura.
 
Unha celdacela de SRAM ten tres estados distintos nos que pode estar:
# '''Repouso''' (''standby''): cando non se realizan tarefas de acceso ó [[circuíto]],
# '''Lectura''' (''reading''): cando a información foi solicitada e